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利来国际VISHAY用于同步降压器的MOSFET

作者:admin时间:2017-11-21 23:24浏览:

  VISHAY用于同步降压器的MOSFET

  Vishay Intertechnology, Inc. 具有80.4%股份的子公司Siliconix Incorporated宣告推出两款新式产品,这两款产品可为Qg/PWM 优化型MOSFET 供给选用高密度TrenchFET® Gen II 技能的超低导通电阻。

与市场上近乎完美的SO-8 器材比较,新式Si4336DY(LITTLE FOOT® SO-8) 和Si7336DP (PowerPAK® SO-8) 供给了导通电阻时刻低13.5% 的83m nC Ω 栅极电荷产品,这也是规划人员为同步降压变换器使用挑选功率MOSFET 时所考虑的要害质量要素。可以进一步影响功率的栅漏和栅源电荷比值已降低了35.6%。

Si4336DY 和Si7336DP 用于计算机同步降压变换器或固定电信同步整流或负载点变换器中作低端MOSFET。钢铁业入寒冬 产业结构亟待调整,这两款产品均降低了变换和传导丢失,或在频率到1MHz 范围内供给了具有相同功率的更高电流运转。凯发娱乐。当在同步降压变换器高端与两个WFET™ 功率MOSFET 器材配对使用时,比较于近乎完美且具有较高竞争力的SO-8 配对器材,利来国际官网,低端的两个Si4336DY MOSFET 可发生高出1.0% 的功率。这种更高的功率直接转化成了优势,凯时娱乐包含便携式体系中更长的电池使用寿命、更低的工作温度,以及增加需求更高档电流的特性和功用。

这两种器材主要在1MHz 的频率范围内运转,它们均具有2.6mΩ (VGS=10 V) 的典型rDS(on) 和32nC (VGS=4.5) 的典型栅极电荷。高阈值电压结合了这两种器材极低的QGD/QGS 比率,可供给杰出的击穿维护,利来国际VISHAY用于而且经过供给杰出的噪声和电压峰值空间而提高功率。Si7336DP 的PowerPAK 封装凭仗更高的热传导性、电流处理以及低功耗功用,进一步提高了功能。

新式Si4336DY 和Si7336DP 经过了100% 的Rg 测验,然后最大极限地降低了器材改变的影响,同步降压器的MOSFET并保证了器材在高频率使用中将依照最低和最高标准来运转。现在,Si4336DY 和Si7336DP 的样件均已上市,并已开

始进行量产,关于大宗订单,交给周期为10~12 周。

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